國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,江蘇魯汶儀器股份有限公司、北方集成電路技術(shù)創(chuàng)新中心(北京)有限公司申請一項名為“一種半導體刻蝕設備及其控制方法”的專利,公開號CN121331731A,申請日期為2024年7月。專利摘要顯示,本申請?zhí)峁┮环N半導體刻蝕設備及其控制方法,半導體刻蝕設備包括柵網(wǎng)和至少一個電磁線圈;柵網(wǎng)包括多個網(wǎng)孔,離子束可以通過柵網(wǎng)的網(wǎng)孔進行引出。電磁線圈圍繞至少一個網(wǎng)孔或多個網(wǎng)孔環(huán)繞電磁線圈,至少一個電磁線圈用于提供目標形狀和目標強度的磁場,以利用目標形狀和目標強度的磁場控制通過多個網(wǎng)孔的離子束的空間分布,也就是說,通過在網(wǎng)孔周圍預先設置至少一個電磁線圈,通過設置至少一個電磁線圈的位置以及電流大小確定目標形狀和目標強度的磁場,目標形狀和目標強度的磁場就能夠?qū)νㄟ^網(wǎng)孔的離子束進行空間分布的